Sidewall Defects Suppression of 620 nm AlGaInP-based Red µLED Devices Using HfO2 ALD Passivation

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Optics letters 2024-11
Hauptverfasser:	Prechatavanich, Natchanon, Wu, Ming-June, Yee, Chee Keong, Sutheebanjerd, Theeradech, Tseng, Yi-Tzu, Yang, Yun-Cheng, Lee, Chia-An, Lin, Kuan-Heng, Wu, Chao-Hsin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!