Design and epitaxy of 15 μm InGaAsP-InP MQW material for a transistor laser

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Optics express 2010-01, Vol.18 (2), p.1501
Hauptverfasser: Duan, Zigang, Shi, Wei, Chrostowski, Lukas, Huang, Xiaodong, Zhou, Ning, Chai, Guangyue
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1094-4087
1094-4087
DOI:10.1364/OE.18.001501