The Effects of Localized Trap Energy on the Photoluminescence Intensity of Gallium Nitrate (GaN) Compound Semiconductor for Different Radiative Trap Level

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Universal journal of physics and application 2019-10, Vol.13 (4), p.69-76
1. Verfasser:	Endale, Getu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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