Identifying the Nature of Semiconductor’s Dislocation Density by Positron-Annihilation Spectroscopy Method. Overview

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanotechnology Research and Practice 2014-12, Vol.4 (4), p.213-229
Hauptverfasser: Prokop'ev, Evgeny P., Evstaf'ev, Sergei S., Timoshenkov, Sergei P., Simonov, Boris M., Grafutin, Viktor I., Timoshenko, Aleksei S., Britkov, Igor M., Britkov, Oleg M.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2312-7856
DOI:10.13187/ejnr.2014.4.213