Identifying the Nature of Semiconductor’s Dislocation Density by Positron-Annihilation Spectroscopy Method. Overview
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Veröffentlicht in: | Nanotechnology Research and Practice 2014-12, Vol.4 (4), p.213-229 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 2312-7856 |
DOI: | 10.13187/ejnr.2014.4.213 |