Influence of High Electric Field on Operation of AlGaN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Acta physica Polonica, A A, 2021-08, Vol.140 (2), p.192-196
Hauptverfasser:	Glinkowski, M., Paszkiewicz, B., Paszkiewicz, R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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