Structure and Hardness Evolution of Silicon Carbide Epitaxial Layers Irradiated with He + } Ions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Acta physica Polonica, A A, 2019-08, Vol.136 (2), p.351-355
Hauptverfasser: Pilko, V.V., Komarov, F.F., Budzynski, P.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1898-794X
0587-4246
DOI:10.12693/APhysPolA.136.351