Enhancement of the Excitonic Photoluminescence in n + /i-GaAs by Controlling the Thickness and Impurity Concentration of the n + Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Acta physica Polonica, A A, 2011-02, Vol.119 (2), p.154-157
Hauptverfasser:	Čerškus, A., Nargelienė, V., Kundrotas, J., Sužiedėlis, A., Ašmontas, S., Gradauskas, J., Johannessen, A., Johannessen, E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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