Preparation and Characterization of Channeled β-Ga2O3 Semiconductor Thin Film Optoelectronic Devices Doped with Cu and Sn Elements

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Cai liao ke xue 2023, Vol.13 (3), p.200-212
1. Verfasser:	刘, 畅
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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