High Quality SiGe:B of High Ge Layer for 14nm and Beyond Finfet Processes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2013-10, Vol.MA2013-02 (31), p.2169-2169
Hauptverfasser:	Liao, Chin I, Chen, Chun Yua, Yu, Stan, Chien, Chin Cheng, Yang, Chan Lon, Wu, J Y, Ramachandran, Balasubramanian
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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