Characterization and Performance of D-Mode GaN Hemt Transistor Used in a Cascode Configuration

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2013-10, Vol.MA2013-02 (25), p.1913-1913
Hauptverfasser: MacElwee, Tom, Roberts, John, Lafontaine, Hugues, Klowak, Greg, Yushyna, Lyubov
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2151-2043
2151-2035
DOI:10.1149/MA2013-02/25/1913