A Threading Dislocation Density Study of Ge Epitaxial Layer on Si and The Dependency on Various Post Growth Treatments

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2012-06, Vol.MA2012-02 (43), p.3128-3128
Hauptverfasser:	Silber, Amir, Ginsburg, Eyal
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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