A Novel Lightly Doping Technique for LDD Structure MILC Poly-Si TFTs Using Gate Insulator as a Doping Mask and the Effect of the LDD Structure on the TFTs

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2012-02, Vol.MA2012-01 (2), p.69-69
Hauptverfasser: Son, Se-Wan, Byun, Chang-Woo, Lee, Sang-Joo, Yoon, Seung-Jae, Joo, Seung-Ki
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2151-2043
2151-2035
DOI:10.1149/MA2012-01/2/69