A Novel Lightly Doping Technique for LDD Structure MILC Poly-Si TFTs Using Gate Insulator as a Doping Mask and the Effect of the LDD Structure on the TFTs
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Veröffentlicht in: | Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2012-02, Vol.MA2012-01 (2), p.69-69 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 2151-2043 2151-2035 |
DOI: | 10.1149/MA2012-01/2/69 |