Impact of Si Diffusion Barrier Layer Formed on TiN Surface by In Situ Oxygen Treatment Process for Advanced Gate-First Metal/High-k Stacks

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2012-02, Vol.MA2012-01 (16), p.691-691
Hauptverfasser:	Kitano, Naomu, Chikaraishi, Keisuke, Arimura, Hiroaki, Hosoi, Takuji, Shimura, Takayoshi, Seino, Takuya, Watanabe, Heiji, Nakagawa, Takashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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