Mitigating Issues that Impact 4H-SiC Epitaxy for Reliable Power Electronics

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2011-08, Vol.MA2011-02 (33), p.2188-2188
Hauptverfasser: Gaskill, D. K., Myers-Ward, R.L., Wheeler, V.D., Stahlbush, R.S., Mahadik, N.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2151-2043
2151-2035
DOI:10.1149/MA2011-02/33/2188