Improvements of Performance and Stability for Gate-All-Around Poly-Si TFTs Using Vacuum Cavity Structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2011-03, Vol.MA2011-01 (19), p.1261-1261
Hauptverfasser:	Liu, Han-Wen, Chiou, Si-Ming, Hung, Chung-En, Ho, Han-Ching, Wang, Fang-Hsing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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