Developing a Wafer Level Gold-Polysilicon Eutectic Bond Process to Protect Sensitive Electronic Devices

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2010-07, Vol.MA2010-02 (27), p.1694-1694
Hauptverfasser:	Saeidi, Nooshin, Flynn, Michael, Byun, Ki Yeol, Yu, Ran, Ferain, Isabelle, Colinge, C., Demosthenous, A., Donaldson, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!