Effect of Annealing Time on the Growth, Structure, and Luminescence of Nitride-Passivated Silicon Nanoclusters

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2010-02, Vol.MA2010-01 (20), p.1083-1083
Hauptverfasser: Wilson, Patrick R., Roschuk, Tyler, Dunn, Kayne, Chelomentsev, Evgueni, Wojcik, Jacek, Mascher, P.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2151-2043
2151-2035
DOI:10.1149/MA2010-01/20/1083