MOS Capacitor Evaluation of Deep States at the Interfacial Grain Boundary in (110/100) Bonded Si

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2008-08, Vol.MA2008-02 (33), p.2191-2191
Hauptverfasser:	Yu, Liya, Lu, Jinggang, Wagener, Magnus, Yu, Xuegong, Rozgonyi, George
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!