Organic Mask Removal Assessment for 32nm Fully Depleted SOI Technology with TiN-metal Gate on HfO2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2008-08, Vol.MA2008-02 (25), p.1949-1949
Hauptverfasser:	Lachal, Laurent, Chiaroni, Julien, Lajoinie, Emile, Louveau, Olivier, Lavios, Pascal
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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