Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2006-06, Vol.MA2006-02 (20), p.1021-1021
Hauptverfasser:	Kittl, Jorge A., Lauwers, Anne, van Dal, Mark, Yu, Hongyu, Veloso, Anabela, Hoffmann, Tom, Pawlak, Malgorzata, Demeurisse, Caroline, Kubicek, Stefan, Niwa, Masaaki, Vrancken, Christa, Absil, Philip, Biesemans, Serge
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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