Oxide and Hot Carrier Reliability Studies for Strained Si-on Relaxed SiGe MOS Devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2006-02, Vol.MA2005-01 (9), p.422-422
Hauptverfasser:	Banerjee, Sanjay, Joshi, Sachin, Ahmad, Doreen, Palard, Marylene, Kelly, David, Onsongo, David, Dey, Sagnik, Fei, Lu, Torack, Tom, Seacrist, Mike, Kellerman, Bruce
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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