Novel Oxides and Reliability for the Passivation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2006-02, Vol.MA2005-01 (13), p.582-582
Hauptverfasser: Gila, Brent, Onstine, A.H., Hlad, M., Gerger, A., Herrero, A., Allums, K.K., Stodilka, D., Jang, S., Kang, Sam, Abernathy, C.R., Ren, Fan, Pearton, Stephen
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:2151-2043
2151-2035
DOI:10.1149/MA2005-01/13/582