High Performance SOI Technology for Sub-45nm Gate Length CMOS Manufacturing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Meeting abstracts (Electrochemical Society) 2006-02, Vol.MA2005-01 (12), p.535-535
Hauptverfasser:	Horstmann, Manfred, Greenlaw, David, Huebler, P., Stephan, R., Feudel, Th, Wei, A., Frohberg, K., Lenski, M., Wieczorek, K., Burbach, G., Schwan, C., Press, P., Kammler, Th, Bierstedt, H., Otterbach, R., Neu, A., Schaller, M., Salz, H., Hohage, J., Ruelke, H., Klais, J., Grasshoff, G., Ehrichs, E., Goad, S., Raab, M., Kepler, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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