A Design for Selective Wet Etching of Si 3 N 4 /SiO 2 in Phosphoric Acid Using a Single Wafer Processor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2018, Vol.165 (4), p.H3187-H3191
Hauptverfasser:	Chien, Ying-Hsueh Chang, Hu, Chi-Chang, Yang, Chi-Ming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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