Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 Tri-Layer High-κ Dielectrics and High Work Function Metal Gate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2018, Vol.7 (6), p.N91-N95
Hauptverfasser:	Hou, Zhaozhao, Wu, Zhenhua, Yin, Huaxiang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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