Effect of Process Gases on Fabricating Tapered Through-Silicon vias by Continuous SF 6 /O 2 /Ar Plasma Etching

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2012, Vol.1 (3), p.P107-P116
Hauptverfasser:	Dixit, Pradeep, Vähänen, Sami, Salonen, Jaakko, Monnoyer, Philippe
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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