Effect of Post-Deposition Annealing on the Interface Electronic Structures of Al 2 O 3 -Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN Heterostructure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2015, Vol.4 (9), p.P364-P368
Hauptverfasser:	Duan, T. L., Pan, J. S., Ang, D. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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