On the Characteristics of Traps and Charges in the Si/SiO 2 /HfO 2 /TaN High-k Gate Stacks

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2014, Vol.3 (3), p.N30-N38
1. Verfasser:	Kar, Samares
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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