Identical Pulse Programming Based Ultra-Thin 5 nm HfZrO 2 Ferroelectric Field Effect Transistors with High Conductance Ratio and Linearity Potentiation Learning Trajectory

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS journal of solid state science and technology 2021-06, Vol.10 (6), p.65015
Hauptverfasser:	Liao, C.-Y., Hsiang, K.-Y., Chang, S.-H., Chiang, S.-H., Hsieh, F.-C., Liu, J.-H., Liang, H., Luo, Z.-F., Lin, C.-Y., Chen, L.-Y., Hu, V. P.-H., Lee, M. H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!