Effect of HfO2 Crystallinity on Device Characteristics and Reliability for Resistance Random Access Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electrochemical and solid-state letters 2011, Vol.14 (8), p.H337
Hauptverfasser:	Kim, Ja-Yong, Yoo, Jong-Hee, Youn, Tae-One, Kim, Sook-Joo, Kim, Jung-Nam, Lee, Sung-Hoon, Joo, Moon-Sig, Roh, Jae-Sung, Park, Sung-Ki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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