The Effect of Density-of-State on the Temperature and Gate Bias-Induced Instability of InGaZnO Thin Film Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2010, Vol.157 (11), p.H983
Hauptverfasser:	Ji, Kwang Hwan, Kim, Ji-In, Jung, Hong Yoon, Park, Se Yeob, Mo, Yeon-Gon, Jeong, Jong Han, Kwon, Jang-Yeon, Ryu, Myung-Kwan, Lee, Sang Yoon, Choi, Rino, Jeong, Jae Kyeong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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