InGaZnO[sub 4]-Based Thin Film Transistors Using Room-Temperature Grown Mg[sub 2]Hf[sub 5]O[sub 12] Gate Insulator

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2010, Vol.157 (10), p.H964
Hauptverfasser:	Kim, Dong Hun, Seo, Hyungtak, Chung, Kwun-Bum, Cho, Nam Gyu, Kim, Ho-Gi, Kim, Il-Doo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!