The Bias Temperature Instability Characteristics of In Situ Nitrogen Incorporated ZrO[sub x]N[sub y] Gate Dielectrics

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Electrochemical and solid-state letters 2010, Vol.13 (9), p.G71
Hauptverfasser:	Jung, Hyung-Suk, Park, Jung-Min, Kim, Hyo Kyeom, Kim, Jeong Hwan, Won, Seok-Jun, Lee, Joohwi, Lee, Sang Young, Hwang, Cheol Seong, Kim, Weon-Hong, Song, Min-Woo, Lee, Nae-In, Cho, Deok-Yong
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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