Bipolar Resistive Switching Characteristics of Transparent Indium Gallium Zinc Oxide Resistive Random Access Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electrochemical and solid-state letters 2010, Vol.13 (6), p.H191
Hauptverfasser:	Chen, Min-Chen, Chang, Ting-Chang, Huang, Sheng-Yao, Chen, Shih-Ching, Hu, Chih-Wei, Tsai, Chih-Tsung, Sze, Simon M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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