Ultrahigh Selective Etching of SiO[sub 2] Using an Amorphous Carbon Mask in Dual-Frequency Capacitively Coupled C[sub 4]F[sub 8]/CH[sub 2]F[sub 2]/O[sub 2]/Ar Plasmas

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2010, Vol.157 (3), p.D135
Hauptverfasser:	Kwon, B. S., Kim, J. S., Lee, N.-E., Shon, J. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!