Effect of Postoxidation Annealing on High Temperature Grown SiO[sub 2]/4H-SiC Interfaces

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2010, Vol.157 (2), p.H196
Hauptverfasser:	Moon, Jeong Hyun, Yim, Jeong Hyuk, Seo, Han Seok, Lee, Do Hyun, Song, Ho Keun, Heo, Jaeyeong, Kim, Hyeong Joon, Cheong, Kuan Yew, Bahng, Wook, Kim, Nam-Kyun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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