Optical Properties of InGaN-Based Light Emitting Diodes Fabricated Through Dry and Wet Mesa Etching Process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2009, Vol.156 (12), p.H930
Hauptverfasser:	Lin, Chia-Feng, Jiang, Ren-Hao, Yang, Chung-Chieh, Lin, Chun-Min, Liu, Hsun-Chih, Huang, Kun-Pin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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