High Thermal Stability AlGaAs/InGaAs Enhancement-Mode pHEMT Using Iridium Buried-Gate Technology

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2009, Vol.156 (12), p.H877
Hauptverfasser:	Chiu, Hsien-Chin, Yang, Chih-Wei, Chen, Chao-Hung, Lin, Che-Kai, Wang, Cheng-Shun, Fu, Jeffrey S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!