Improvement of the Diffusion Barrier Performance of Ru by Incorporating a WN[sub x] Thin Film for Direct-Plateable Cu Interconnects

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electrochemical and solid-state letters 2009, Vol.12 (7), p.H248
Hauptverfasser: Sari, Windu, Eom, Tae-Kwang, Jeon, Chan-Wook, Sohn, Hyunchul, Kim, Soo-Hyun
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1099-0062
DOI:10.1149/1.3117242