Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2009, Vol.156 (1), p.H10
Hauptverfasser:	Hasebe, Rui, Teramoto, Akinobu, Kuroda, Rihito, Suwa, Tomoyuki, Sugawa, Shigetoshi, Ohmi, Tadahiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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