Dual Gate-Recess Structure of Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors for Enhancing f[sub max]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2008, Vol.155 (12), p.H987
Hauptverfasser:	Oh, Jung-Hun, Han, Min, Moon, Sung-Woon, Lee, Seokhun, Hwang, In-Seok, Kim, Sam-Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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