Comprehensive Study on the Transport Mechanism of Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2008, Vol.155 (11), p.H873
Hauptverfasser:	Jeong, Jae Kyeong, Chung, Hyun-Joong, Mo, Yeon-Gon, Kim, Hye Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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