Polysilicon–Oxide–Nitride–Oxide–Silicon-Type Flash Memory Using an Y[sub 2]O[sub 3] Film as a Charge Trapping Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electrochemical and solid-state letters 2008, Vol.11 (7), p.G37
Hauptverfasser:	Pan, Tung-Ming, Yeh, Wen-Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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