Film and Device Characteristics of Sputter-Deposited Hafnium Zirconate Gate Dielectric
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Journal of the Electrochemical Society 2008, Vol.155 (5), p.G121 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!