Film and Device Characteristics of Sputter-Deposited Hafnium Zirconate Gate Dielectric

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 2008, Vol.155 (5), p.G121
1. Verfasser: Hegde, Rama I.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-4651
DOI:10.1149/1.2890855