Electron-Beam Lithography Patterning of Ge[sub 2]Sb[sub 2]Te[sub 5] Nanostructures Using Hydrogen Silsesquioxane and Amorphous Si Intermediate Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 2007, Vol.154 (9), p.H844
Hauptverfasser: Nam, Sung-Wook, Lee, Tae-Yon, Wi, Jung-Sub, Lee, Dongbok, Lee, Hyo-Sung, Jin, Kyung-Bae, Lee, Min-Hyun, Kim, Hyun-Mi, Kim, Ki-Bum
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-4651
DOI:10.1149/1.2756992