Effects of Gate-Recess Structure on High-Frequency Characteristics of 0.1 μm Metamorphic HEMTs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2007, Vol.154 (7), p.H541
Hauptverfasser:	Oh, Jung-Hun, Baek, Yong-Hyun, Lim, Byeong-Ok, Moon, Sung-Woon, Lee, Sang-Jin, Rhee, Jin-Koo, Hwang, In-Seok, Kim, Sam-Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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