Effect of Al Incorporation in the Thermal Stability of Atomic-Layer-Deposited HfO[sub 2] for Gate Dielectric Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2007, Vol.154 (4), p.G99
Hauptverfasser:	Chiou, Yan-Kai, Chang, Che-Hao, Wang, Chen-Chan, Lee, Kun-Yu, Wu, Tai-Bor, Kwo, Raynien, Hong, Minghwei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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