Enhanced GaAs Etch Rates Near the Edges of a Protective Mask

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1966, Vol.113 (9), p.958
1. Verfasser:	Shaw, Don W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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