Effect of Device Processing Conditions on Extended Dislocations and Defects in Ti‐Salicided Source/Drain Regions of Silicon Integrated Circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1993-12, Vol.140 (12), p.3650-3657
1. Verfasser:	Guldi, R. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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